再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究

掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将Si Nx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m~2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧(B-O)复合体浓度分别为1.38×1011和7.01×1011cm~(-3),再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10~(10)和4.44×10~(10)cm~(-3),再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。