In掺杂CdO透明导电薄膜的研究

通过磁控射频溅射的方法分别在石英玻璃基底上和硅111基底上沉积In掺杂CdO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪测试薄膜的结构、光学和电学性能。一定量的In掺杂可将CdO的光学吸收边从2.2 eV提高至3.4 eV,甚至更高。同时适量的In掺杂可明显改善CdO薄膜的电学性能,在提高其电子浓度的同时也降低电阻率,获得最低5.8×10~(-5)Ω?cm的电阻率,同时吸收边为3.24 eV的透明导电薄膜。In掺杂的CdO薄膜作为一种性能良好的薄膜材料有较好的发展前景。