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| CIGS/Si异质结太阳电池的数值模拟 | |
| 引用本文： | 高兵,沈辉.CIGS/Si异质结太阳电池的数值模拟[J].太阳能学报,2018,39(5):1284-1290. |
| 作者姓名： | 高兵 沈辉 |
| 作者单位： | 中山大学物理学院太阳能系统研究所;广东省光伏技术重点实验室 |
| 摘 要： | 利用软件wx AMPS模拟CIGS/Si异质结太电池的效率和不同工艺参数对电池性能的影响:前后端接触势垒分别为1.2 e V和0.21 e V,前(后)表面复合速率为1×10~7cm/s,选择功函数为5.4 e V的透明导电薄膜材料,p型CIGS的带隙和厚度为1.15 e V和3μm,并选择掺杂浓度为5×10~(16)cm~(-3)的n型硅片,最终模拟CIGS/Si异质结太阳电池的最佳效率为25.60%。希望该模拟数据为实际制备CIGS/Si异质结太电池作出正确的理论指导。 |
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