ZnO掺杂对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的改善及其机理研究

现代科技的发展对于电子器件的小型化有着越来越高的要求，CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)是一种被认为具有开发潜力的介电材料，然而其介电损耗过高阻碍其投入应用，因此采用溶胶凝胶法制备了不同ZnO掺杂含量的CCTO陶瓷。使用了XRD、SEM、宽频介电谱仪和高阻计对所有样品的相组成、微观形貌和介电性能进行了表征，探讨了不同ZnO掺杂量对CCTO陶瓷介电性能的影响。结果表明，ZnO掺杂的CCTO陶瓷保持了单一的CCTO相结构和良好的晶粒分布，击穿特性有所增强。其中，ZnO掺杂浓度为摩尔分数6%的CCTO陶瓷，其相对介电常数为7471(1 kHz),tanδ最小值为0.018,并且在较宽的频率范围内(10¹～10⁵ Hz)都具有较低的tanδ值(<0.05),击穿场强为2.95 kV/cm。分析表明，tanδ的改善主要是由于晶界电阻的增强和晶界弛豫极化损耗的降低所引起。ZnO掺杂的CCTO陶瓷具有良好的介电性能，对加快CCTO的广泛应用具有重要意义。