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| 基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz～8.0 GHz低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 叶乔霞,陈奇超,张超,高海军.基于GaAs pHEMT工艺的0.1 GHz～8.0 GHz低噪声放大器[J].杭州电子科技大学学报,2023(5):30-35+74. |
| 作者姓名： | 叶乔霞 陈奇超 张超 高海军 |
| 作者单位： | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61871161)； |
| 摘 要： | 基于0.25μm GaAs pHEMT工艺，设计了一款工作频率为0.1 GHz～8.0 GHz的超宽带低噪声放大器，采用单级共源共栅(cascode)结构，使用电阻并联负反馈扩展了低噪声放大器的带宽，并且采用电感中和技术补偿了高频增益与提高频率响应。仿真结果表明：该款低噪声放大器的分数带宽高达195%,噪声系数小于1.32 dB,最高增益为21.2 dB,1 dB压缩点为16 dBm。在砷镓化合物工艺设计的低噪放中，本文拥有195%的分数带宽，较高的增益和较低的噪声系数。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 低噪声放大器 共源共栅 宽带 |