晶圆级封装用半烧结型银浆粘接工艺

选取了一种半烧结型银浆进行粘接工艺研究，通过剪切强度测试和空洞率检测确定了合适的点胶工艺参数，并进行了红外热阻测试和可靠性测试。结果表明，该半烧结型银浆的工艺操作性好，烧结后胶层空洞率低；当胶层厚度控制在30μm左右时，剪切强度达到25.73 MPa；采用半烧结型银浆+TSV转接板的方式烧结功放芯片，其导热性能满足芯片的散热要求；经过可靠性测试后，烧结芯片的剪切强度没有下降，具有较高的稳定性和可靠性，可用于晶圆级封装中功率芯片的粘接。