一个新的测量二次电子发射系数的实验方法

本文提出了测量二次电子发射系数的一种新方法-三枪连续脉冲法。这种方法可以用来测定各种金属、介质、半导体、晶体等材料的全能量范围二次电子、发射系数δ。介绍了三枪连续脉冲的原理和实验装置。并给出了用三枪连续脉冲法测量DKDP电光晶体的全能量范围二次电子发射系数。结果表明DKDP晶体的二次电子发射系数与一般介质的二次电子发射系数差不多。还给出了以镍为基底和以DKDP晶体为基底的发射介质膜〔ZnS〕~5+〔MgF_2〕~4的二次电子发射系数。结果表明,基底不同,反射介质膜的电子发射系数也不同。对相同基底的反射介质膜〔ZnS〕~5+〔MgF_2〕~4的二次电子发射系数测量表明它既不同于ZnS也不同于MgF_2的二次电子发射系数。