| 残余氯在等离子体增强化学气相沉积TiN膜中的偏聚过程研究 |
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| 引用本文： | 谢飞. 残余氯在等离子体增强化学气相沉积TiN膜中的偏聚过程研究[J]. 江苏工业学院学报, 2004, 16(1): 1-4 |
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| 作者姓名： | 谢飞 |
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| 作者单位： | 谢飞（江苏工业学院,材料科学与工程系,江苏,常州,213016） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(19392300-5) |
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| 摘 要： | 通过分析等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的特点，对残余氯的存在机制、等离子体场中离子轰击对氯在TiN膜内分布的影响作了进一步的讨论。运用经典偏聚理论，根据空位、位错特点．建立了PECVD过程中离子轰击促进氯向晶界、微孔表面等界面处偏聚的模型，从而完满地解释了文献中的有关实验现象。
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| 关 键 词： | 氯 等离子体 化学气相沉积 TiN膜 偏聚理论 氮化钛 |
| 文章编号： | 1005-8893(2004)01-0001-04 |
| 修稿时间： | 2003-05-06 |
Segregation of Residual Chlorine in Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited TiN Film |
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