导流筒的底部结构对直拉单晶硅氧含量的影响

采用STR公司研发的专业晶体生长软件CGSim,对热场内的导流筒部件的底部结构进行优化。研究了导流筒底部的两个结构：一是导流筒底部水平结构长度(X值);二是导流筒底部结构倾斜长度(Y值)。研究结果表明，通过调整导流筒底部的结构，改变了熔体内的温度分布，增大了自由液面下方的对流强度，加快了氧杂质的挥发，降低了氧杂质传输分凝到晶棒的氧含量。结果表明，随着X值增加，生长界面的氧含量就越低；随着Y值增加，生长界面的氧含量无明显变化。由此得知，导流筒底部X值是影响晶棒生长界面氧含量的关键结构；而Y值对氧含量影响作用较弱。模拟结果显示，当X值为160 mm时，氧含量最大降低0.57 ppma。