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多注速调管技术的新进展
引用本文:丁耀根. 多注速调管技术的新进展[J]. 真空电子技术, 2002, 0(5): 8-14
作者姓名:丁耀根
作者单位:中国科学院电子学研究所,北京,100080
摘    要:系统地介绍了多注速调管的工作原理、主要特点和发展概况。比较详细地分析了俄罗斯、中国和法国等国研制的多注速调管的主要性能指标和技术特点,分析了多注速调管研制中遇到的关键技术问题;讨论了多注速调管技术的发展趋势和应用范围。

关 键 词:多注速调管 多注电子枪 导流系数 覆膜浸渍阴极 滤波器加载双间隙耦合腔
文章编号:1002-8935(2002)05-0008-07

Recent Progress on Multi-Beam Klystron Technology
DING Yao-gen. Recent Progress on Multi-Beam Klystron Technology[J]. Vacuum Electronics, 2002, 0(5): 8-14
Authors:DING Yao-gen
Abstract:The basic principle,main properties,and general situation of Multi-Beam klystron(MBK)are introduced.The typical parameters and technical characteristics of MBKs developed by Russia,China and French are described in detail.The key technical problems met in the development of MBK are given out and analyzed in the paper.The trend and further application of MBK technology are also discussed.
Keywords:Multi-Beam Klystron  Multi-Beam electron Gun  Perveance  Coated impregnate cathode  Filter Loaded double gap coupling Cavity  
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