| Al2O3掺杂YSZ的电性能 |
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| 引用本文： | 向兰翔 罗上庚 邹长贵 梁雪元 赵璐 利明 何莉萍 陈宗璋 李素芳. Al2O3掺杂YSZ的电性能[J]. 陶瓷科学与艺术, 2003, 37(4): 4-5,8 |
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| 作者姓名： | 向兰翔 罗上庚 邹长贵 梁雪元 赵璐 利明 何莉萍 陈宗璋 李素芳 |
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| 作者单位： | [1]中国原子能研究院，北京·102413 [2]湖南大学化学化工学院，长沙．410082 |
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| 摘 要： | 研究了Al2O3掺杂对Y2O3稳定的ZrO2材料电导性能的影响。因为Al与自由氧离子空穴缔合的能力大于Y，所以YSZ的晶粒电导随Al2O3含量的增大而减小。Al2O3一方面能清除晶界上的SiO2，同时又与晶界中的氧离子空穴缔合，在这两方面影响下，随Al2O3含量的增大，晶界电阻先减小后增大。
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| 关 键 词： | Al2O3 三氧化二铝 掺杂 YSZ 电性能 离子电导 氧化锆 |
The Conductivity of the Y_2O_3 Stabilized ZrO_2 Doped with A1_2O_3 |
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| Xiang Lanxiang Luo shanggeng Zou Changgui Liang Xueyuan Zhao Lu Li Ming He Liping Chen Zongzhang Li Sufang. The Conductivity of the Y_2O_3 Stabilized ZrO_2 Doped with A1_2O_3[J]. Ceramics Science & Art, 2003, 37(4): 4-5,8 |
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| Authors: | Xiang Lanxiang Luo shanggeng Zou Changgui Liang Xueyuan Zhao Lu Li Ming He Liping Chen Zongzhang Li Sufang |
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| Abstract: | The effect of Al2O3 to the conductivity of Y2O3 stabilized ZrO2 was studied. Because A1 can associate with the oxygen ion vacancy more easily than Y, the grain conductivity of YSZ decrease with content of Al2O3 increasing. At one side,Al2O3 can scavenge SiO2 at the grain boundary. At other side, Al associates with oxygen ion vacancy at grain boundary. So the grain-boundary resistance decreases at first, and then increases with content of Al2O3 increasing. |
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| Keywords: | Zirconia Dope Ion Conductivity |
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