| 碳化硅泡沫陶瓷烧结温度和烧结机理的研究 |
| |
| 引用本文： | 刘岩,黄政仁,姚秀敏,江东亮. 碳化硅泡沫陶瓷烧结温度和烧结机理的研究[J]. 陶瓷科学与艺术, 2003, 37(5): 28-30 |
| |
| 作者姓名： | 刘岩 黄政仁 姚秀敏 江东亮 |
| |
| 作者单位： | 中科院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心,上海·200050 |
| |
| 摘 要： | 将制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料通过烘干、制粉、干压成型、烧结来探讨烧结温度对制品性能的影响。试验结果表明样品的最高抗弯强度出现在1400℃、保温2h的工艺条件下，而不是更高的烧结温度1450℃。主要原因在于过高的烧结温度导致碳化硅氧化严重，生成了大量的方石英，方石英在随后的冷却过程中出现微裂纹所致。而碳化硅泡沫陶瓷的烧结机理主要是玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用和新相莫来石的生成。
|
| 关 键 词： | 碳化硅 泡沫陶瓷 烧结温度 烧结机理 包覆 连接 莫来石 |
Sintering Temperature and Sintering Mechanism of SiC Foam Ceramics |
| |
| Liu Yan Huang Zhengren Yao Xiumin Jiang Dongliang. Sintering Temperature and Sintering Mechanism of SiC Foam Ceramics[J]. Ceramics Science & Art, 2003, 37(5): 28-30 |
| |
| Authors: | Liu Yan Huang Zhengren Yao Xiumin Jiang Dongliang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Silicon Carbide Foam Ceramics Sintering Temperature Sintering mechanism |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
