|
|||||
|
|
| 辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应 | |
| 引用本文： | 聂纪平,刘忠立,和致经,于芳,李国花,张永刚.辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应[J].半导体学报,1999,20(8):676-681. |
| 作者姓名： | 聂纪平 刘忠立 和致经 于芳 李国花 张永刚 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
| 摘 要： | 本文研究了制作ＪＦＥＴ／ＳＯＳ（蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管）的方法，采用扩散形成栅极ｐ＋ｎ浅结以及复合注入的方法形成导电沟道，在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型器件．通过Ｃｏ６０源的γ射线辐射实验发现这种器件具有良好的抗总剂量辐射性能，在５Ｍｒａｄ（Ｓｉ）剂量时阈值电压的变化小于０１Ｖ，跨导以及漏电流的变化都很小 |
| 关 键 词： | JFET／SOS 辐射加固 结型 场效应晶体管 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |