| 一种500V终端结构的设计与优化 |
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| 引用本文： | 刘驰,冯全源,叶乃仁.一种500V终端结构的设计与优化[J].微电子学,2012,42(6). |
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| 作者姓名： | 刘驰 冯全源 叶乃仁 |
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| 作者单位： | 1. 西南交通大学微电子研究所,成都,610031
2. 美禄科技股份有限公司,中国台湾新竹300 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目 |
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| 摘 要： | 设计了一个500 V纯场限环终端结构.在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数,添加金属场板,形成场限环-场板联合边端结构,界面态电荷对器件性能的影响也得到改善.采用场限环-场板结构的终端,实现了539 V的击穿电压,并缩短了17.2μm的边端宽度,相应节省了14％的宽度.
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| 关 键 词： | 场限环 场板 终端结构 降低表面场强 |
Design and Optimization of a 500 V Termination Structure |
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| LIU Chi
,
FENG Quanyuan
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YEAH Nairen.Design and Optimization of a 500 V Termination Structure[J].Microelectronics,2012,42(6). |
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| Authors: | LIU Chi FENG Quanyuan YEAH Nairen |
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