| 三维循序集成CMOSFET结构设计方法研究 |
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| 引用本文： | 黄晓橹. 三维循序集成CMOSFET结构设计方法研究[J]. 微电子学, 2012, 42(6) |
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| 作者姓名： | 黄晓橹 |
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| 作者单位： | 上海华力微电子有限公司研发部,上海,201203 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(02专项)资助项目 |
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| 摘 要： | 详细介绍了三维集成的基本概念,针对二维SoC集成、三维并行TSV集成和三维循序集成的特点进行深入描述和比较.分析了三维循序集成CMOSFET结构的发展现状,包括早期的三维器件级集成设计、基于SOI的平面型CMOSFET三维循序集成设计,以及共包围栅SiNWFET三维循序集成设计.结合各种三维循序集成CMOSFET结构设计方法的特点,提出一种双层隔离三维循序集成SNWFET结构设计方法,为三维集成CMOSFET结构设计提供了一种新的解决方案.
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| 关 键 词： | SoC 三维并行集成 三维循序集成 半导体纳米线 |
Design Methodology of 3-D Sequentially Integrated CMOSFET Structure |
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| HUANG Xiaolu. Design Methodology of 3-D Sequentially Integrated CMOSFET Structure[J]. Microelectronics, 2012, 42(6) |
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| Authors: | HUANG Xiaolu |
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