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| 基于0.18μm CMOS RF工艺的有源电感设计与优化 | |
| 引用本文： | 王伟印,沈琪,顾晓峰,赵琳娜.基于0.18μm CMOS RF工艺的有源电感设计与优化[J].微电子学,2012,42(6). |
| 作者姓名： | 王伟印 沈琪 顾晓峰 赵琳娜 |
| 作者单位： | 江南大学电子工程系轻工过程先进控制教育部重点实验室,江苏无锡,214122 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，中央高校基本科研业务费专项资金，江苏省普通高校研究生创新计划 |
| 摘 要： | 提出一种带负反馈的新型折叠共源共栅有源电感,对相关电路结构和参数进行了设计,分析了影响有源电感性能的各种因素.基于TSMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺,利用Cadence SpectreRF对电路进行了仿真和优化,得到电感值最大为138 nH,品质因子Q可达到59. |
| 关 键 词： | 有源电感 CMOS射频工艺 折叠共源共栅 品质因子 |
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