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高速锗硅异质结双极晶体管HICUM可缩放模型
引用本文:张林,孙玲玲,刘军.高速锗硅异质结双极晶体管HICUM可缩放模型[J].微电子学,2012,42(6).
作者姓名:张林  孙玲玲  刘军
作者单位:杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:介绍了一种基于HICUM模型建立高速锗硅异质结双极可缩放模型的流程,结合一批不同物理设计尺寸晶体管的测试数据,建立了HICUM模型参数缩放数学方程.建立的可缩放模型在商用仿真器中进行了仿真验证,模型仿真结果与测试数据有很好的吻合.

关 键 词:HICUM模型  参数提取  锗硅  异质结双极晶体管

Scalable HICUM Model for High-Speed SiGe HBTs
ZHANG Lin , SUN Lingling , LIU Jun.Scalable HICUM Model for High-Speed SiGe HBTs[J].Microelectronics,2012,42(6).
Authors:ZHANG Lin  SUN Lingling  LIU Jun
Abstract:
Keywords:
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