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硅片接触表面的弹性形变范围
引用本文:韩伟华,余金中. 硅片接触表面的弹性形变范围[J]. 半导体光电, 2001, 22(6): 440-442
作者姓名:韩伟华  余金中
作者单位:[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国
基金项目:国家自然科学基金;69990540,69896260-06;
摘    要:提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型。接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化。Airy应力函数给出了满足键合界面应力平衡微分方程的解。根据应变场的分布,给出了硅片键合界面弹性形变的范围。

关 键 词:弹性形变 应力场 硅片键合 表面接触
文章编号:1001-5868(2001)06-0440-03
修稿时间:2001-05-17

The Extent of Elastic Deformation on Silicon Contact Surfaces
HAN Wei hua,YU Jin zhong. The Extent of Elastic Deformation on Silicon Contact Surfaces[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2001, 22(6): 440-442
Authors:HAN Wei hua  YU Jin zhong
Abstract:A model was proposed on the elastic deformation of silicon wafer contact in bonding. The change of wafer surface morphology depends on the periodic stress field on contact surface. Airy stress function gives a solution that satisfies the mechanical equilibrium condition at the bonded interface. The extent of the elastic deformation of silicon contact surfaces was calculated according to the periodic strain field.
Keywords:elastic deformation  stress field  silicon wafer bonding  surface contact
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