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| 1μm CMOS电路研制中光刻胶反向腐蚀工艺研究 | |
| 作者姓名： | 吕军 毛志军 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所二室!无锡，214035 |
| 摘 要： | 本文详细阐述了运用于1μmCMOS电路制作的光刻胶反向腐蚀（Etch－back）工艺。通过扫描电镜（SEM）分析，在Lain4500SiO2刻蚀机及Prec－ision5000PECVD上使台阶高度由原来的550nm以上降到150nm以下，剖面角由原来的80°以上降到30°以下。 |
| 关 键 词： | 大规模集成电路 CMOS电路 光刻胶反向腐蚀 |
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