| p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的Pt+注入改性研究 |
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| 引用本文： | 李鸿渐,石瑛,赵世荣,何庆尧,蒋昌忠.p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的Pt+注入改性研究[J].功能材料,2009,40(7). |
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| 作者姓名： | 李鸿渐 石瑛 赵世荣 何庆尧 蒋昌忠 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10675094,10205010,10435060) |
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| 摘 要： | 对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从101-Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1014cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律.在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω·cm2.探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制.
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| 关 键 词： | p-GaN 欧姆接触 离子注入 退火 |
Study of the improvement of Ni/Au ohmic contact to p-GaN by Pt~+ implantation |
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| LI Hong-jian
,
SHI Ying
,
ZHAO Shi-rong
,
HE Qing-yao
,
JIANG Chang-zhong.Study of the improvement of Ni/Au ohmic contact to p-GaN by Pt~+ implantation[J].Journal of Functional Materials,2009,40(7). |
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| Authors: | LI Hong-jian SHI Ying ZHAO Shi-rong HE Qing-yao JIANG Chang-zhong |
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| Affiliation: | School of Physics and Technology;Wuhan University;Wuhan 430072;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-GaN ohmic contact ion implantation annealing |
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