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| 优质GaAs/Si材料的研制 | |
| 引用本文： | 梁基本,孔梅影,段维新,朱战萍,谢茂海,朱世荣,曾一平,张学渊.优质GaAs/Si材料的研制[J].微纳电子技术,1991(6). |
| 作者姓名： | 梁基本 孔梅影 段维新 朱战萍 谢茂海 朱世荣 曾一平 张学渊 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所中国科学院半导体材料科学开放实验室 北京 100083 |
| 摘 要： | 用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm~(-2)。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 异质结 砷化镓 硅 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |