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| InSb红外焦平面探测器背减薄技术 | |
| 引用本文： | 邱宏,曹凌霞. InSb红外焦平面探测器背减薄技术[J]. 激光与红外, 2001, 31(5): 286-287 |
| 作者姓名： | 邱宏 曹凌霞 |
| 作者单位： | 华北光电技术研究所, |
| 摘 要： | 文中着重介绍了InSb红外焦平面探测器薄技术工艺以及精抛对器件性能的影响。目前已较好的掌握了减薄至20μm的磨抛技术。 |
| 关 键 词： | InSb 红外焦平面陈列 背减薄 红外探测器 |
| 文章编号： | 1001-5078(2001)05-0286-02 |
| 修稿时间： | 2001-04-27 |
InSb IRFPA Back Lapping Technology |
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| QIU Hong,CAO Ling-xia. InSb IRFPA Back Lapping Technology[J]. Laser & Infrared, 2001, 31(5): 286-287 | |
| Authors: | QIU Hong CAO Ling-xia |
| Abstract: | |
| Keywords: | IRFPA back lapping fine polish. |
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