|
|||||
|
|
| CMOS图像传感器的未来 | |
| 作者姓名： | 宋晓舒 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 在与CCD的竞争中 ,CMOS必须面对或超越CCD的关键价格及性能特点。采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)加工工艺制作的图像传感器阵列芯片的首次应用于 2 0世纪 80年代末得到了验证。自那时起 ,能够以动态随机存取存储器(DRAM)的成本在单模片上集成所有模拟及数字成像电路就成为设计者心中的神圣目标。然而 ,CCD制造商为了将CMOS传感器排挤出市场 ,始终坚持不懈地减小阵列体积 ,同时大幅削减其价格。近 30年来 ,在大容量电子图像捕获应用中 ,CCD在速度、灵敏度、可靠性、封装及价格等方面始终保持优势 ,因而统治着市场。产品设计人… |
| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 图像传感器阵列 CMOS图像传感器 CCD 填充因数 像元间距 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |