| 一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源 |
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| 引用本文： | 郎君,何书专,杨盛光,李丽,高明伦. 一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源[J]. 微电子学, 2007, 37(3): 374-377 |
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| 作者姓名： | 郎君 何书专 杨盛光 李丽 高明伦 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学,物理系,微电子设计研究所,江苏,南京,210093
2. 江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省高技术研究发展计划项目 |
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| 摘 要： | 设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。
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| 关 键 词： | 衬底偏置 基准电压源 与绝对温度成正比 低电源电压 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）03-0374-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-292007-04-01 |
Low Voltage Sub-threshold CMOS PTAT Voltage Reference Source |
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| LANG Jun,HE Shu-zhuan,YANG Sheng-guang,LI Li,GAO Ming-lun. Low Voltage Sub-threshold CMOS PTAT Voltage Reference Source[J]. Microelectronics, 2007, 37(3): 374-377 |
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| Authors: | LANG Jun HE Shu-zhuan YANG Sheng-guang LI Li GAO Ming-lun |
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| Affiliation: | Institute of VLSI Design, Nanjing University, Nanjing, Jiangsu 210093, P. R. Chinal Key Laboratory of Advanced Photonics and Electronics Materials, Nanjing, Jiangsu 210093, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bulk biasing Voltage reference PTAT Low power supply |
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