| NEA GaN和GaAs光电阴极的比较 |
| |
| 引用本文： | 常本康. NEA GaN和GaAs光电阴极的比较[J]. 红外技术, 2017, 39(12): 1073-1077. |
| |
| 作者姓名： | 常本康 |
| |
| 作者单位： | 1.南京理工大学电子工程与光电技术学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划(91433108) |
| |
| 摘 要： | 针对GaN基光电阴极激活过程中Cs-O交替存在的光电流的增幅问题,本文主要比较了GaN和GaAs材料性质、表面结构以及激活过程中光电阴极的光电流.发现GaN的熔点高于GaAs,在制备GaN基光电阴极时则需要更高的热清洗温度;如果用双偶极子模型描述GaN(1000)和GaAs(100)表面的光电发射机理,GaN(1000)表面Cs原子与O原子形成第二偶极矩O-Cs,几乎
|
| 关 键 词： | GaN光电阴极 GaAs光电阴极 表面结构 光电流 偶极矩 |
Comparison of NEA GaN and GaAs Photocathodes |
| |
| Comparison of NEA GaN and GaAs Photocathodes[J]. Infrared Technology , 2017, 39(12): 1073-1077. |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《红外技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外技术》下载全文 |
|
