| 一种利用反射率理论模型指导K2CsSb光电阴极的制备方法 |
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| 引用本文： | 孙建宁, 司曙光, 王兴超, 金睦淳, 李冬, 任玲, 侯巍, 赵敏, 顾莹, 乔芳建, 张昊达, 曹宜起. 一种利用反射率理论模型指导K2CsSb光电阴极的制备方法[J]. 红外技术, 2017, 39(12): 1087-1091. |
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| 作者姓名： | 孙建宁 司曙光 王兴超 金睦淳 李冬 任玲 侯巍 赵敏 顾莹 乔芳建 张昊达 曹宜起 |
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| 作者单位： | 1.北方夜视技术股份有限公司南京分公司 |
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| 基金项目： | 国家重大科学仪器设备开发专项(2016YFF0100400) |
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| 摘 要： | 针对中微子和宇宙射线探测用的大尺寸K2CsSb光电阴极,本文首先利用光学导纳矩阵法,推导了适用于多层膜的K2CsSb光电阴极理论模型.通过该模型对K2CsSb光电阴极生长提出了增透层蒸镀、底K蒸镀、K/Sb同蒸、进Cs蒸镀4个阶段的制备方法,在对各个阶段的反射率变化进行的理论仿真后,发现K2CsSb厚度远低于K3Sb厚度,整个阴极结构应该为K2CsSb/K3Sb/增透层/玻璃的4层结构;仿真计算结果表明,利用该制备方法获得的K2CsSb光电阴极厚度约为40 nm.实验中,由于K与Sb同时蒸镀时采用了不同的蒸镀比例会导致截然不同的反射率曲线走势,从而影响到K2CsSb的量子效率差异.
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| 关 键 词： | 钾铯锑 光电阴极 反射率 量子效率 光电倍增管 |
Preparation Method of K_2CsSb Photocathode Using the Reflectance Theory Model |
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| SUN Jianning, SI Shuguang, WANG Xingchao, JIN Muchun, LI Dong, REN Ling, HOU Wei, ZHAO Min, GU Ying, QIAO Fangjian, ZHANG Haoda, CAO Yiqi. Preparation Method of K2CsSb Photocathode Using the Reflectance Theory Model[J]. Infrared Technology , 2017, 39(12): 1087-1091. |
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| Authors: | SUN Jianning SI Shuguang WANG Xingchao JIN Muchun LI Dong REN Ling HOU Wei ZHAO Min GU Ying QIAO Fangjian ZHANG Haoda CAO Yiqi |
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