| 碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究 |
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| 引用本文： | 敖孟寒, 朱丽慧, 孙士文. 碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究[J]. 红外技术, 2017, 39(1): 22-26. |
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| 作者姓名： | 敖孟寒 朱丽慧 孙士文 |
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| 作者单位： | 1.上海大学材料科学与工程学院;2.中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 |
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| 基金项目： | 红外成像与器件重点实验室开放基金 |
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| 摘 要： | 本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠(NaClO)为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液.采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态,研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理,使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra的影响.结果表明,硅溶胶-次氯酸钠抛光液通过与CZT晶体中Te单质或CdTe发生化学反应,生成TeO2.随后在一定压力下,抛光盘与CZT晶片发生相对运动,并在硅溶胶磨料颗粒的辅助作用下去除反应物.当NaClO含量在2％～10％时,随着NaClO含量的增加,晶片表面PV值和粗糙度Ra值先降低后升高,去除速率则随着NaClO含量的增加而增加.NaClO含量为6％时,PV值和Ra值最低,得到的晶片表面质量最好.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 CZT晶体 粗糙度 平整度 |
Research on Chemical-mechanical Polishing Slurry for CdZnTe Crystal |
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| AO Menghan, ZHU Lihui, SUN Shiwen. Research on Chemical-mechanical Polishing Slurry for CdZnTe Crystal[J]. Infrared Technology , 2017, 39(1): 22-26. |
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| Authors: | AO Menghan ZHU Lihui SUN Shiwen |
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