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| NEA GaN光电阴极材料光学特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.南阳理工学院电子与电气工程学院;2.南京理工大学电子工程与光电技术学院 |
| 摘 要： | 针对NEA GaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题,结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素,采用理论和实验相结合的方法,分别研究了GaN光电阴极材料的表面反射率、光学折射率、光谱吸收系数以及透射光谱等光学参数。结果表明在250 nm到365 nm的波长范围内,表面反射率相对平稳,是影响量子效率的直接因素,而光学折射率则通过电子表面逸出几率间接影响着量子效率。给出了均匀掺杂GaN光电阴极的光谱吸收系数的特点,根据变掺杂NEA GaN光电阴极的结构特点,给出了光谱平均吸收系数的概念和等价计算公式,并对均匀掺杂与变掺杂NEA GaN光电阴极光谱吸收系数进行了对比。 |
| 关 键 词： | GaN 光电阴极 量子效率 变掺杂 光谱吸收系数 |
Optical Characteristics of NEA GaN Photocathode Material |
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| Keywords: | |