|
|||||
|
|
| 微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究 | |
| 引用本文： | 王陆一,蒋向东,石兵.微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜光电导性能研究[J].半导体光电,2013,34(1):95-97. |
| 作者姓名： | 王陆一 蒋向东 石兵 |
| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054 |
| 基金项目： | 四川省应用基础项目(07JY029-087) |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究.结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大,透过率曲线截止边红移；吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大；薄膜的折射率随着波长的增加而下降,同一波长下随着掺杂量的增加而增大,在500 nm波长处折射率达到4.2以上,最大到4.6；薄膜的交流电阻率在微量硼掺杂下随着硼掺杂量的增加先减小后增大. |
| 关 键 词： | 硼掺杂 射频磁控溅射 氢化非晶硅 吸收系数 折射率 |
| 收稿时间： | 2012/7/19 0:00:00 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体光电》下载全文 | |