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| 传热过程对多晶硅真空定向凝固过程的凝固界面及热应力的影响 | |
| 引用本文： | 吕国强,杨玺,刘成,马文会,陈道通,蒋鹏仪. 传热过程对多晶硅真空定向凝固过程的凝固界面及热应力的影响[J]. 材料热处理学报, 2015, 36(5) |
| 作者姓名： | 吕国强 杨玺 刘成 马文会 陈道通 蒋鹏仪 |
| 作者单位： | 1. 昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明,650093 2. 昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明650093;真空冶金国家工程实验室,云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心,云南昆明650093 3. 昆明理工大学冶金与能源工程学院,云南昆明650093;云南泛亚能源科技有限公司,云南昆明650093 |
| 摘 要： | 以实验室10 t/a VODS型多晶炉为原型,对其凝固过程的热场、固液界面和热应力进行了瞬态模拟与实验验证。结果表明:在坩埚底部有水冷热交换块的真空定向凝固系统中硅料凝固会产生较大的热应力,增加环形保温结构使热区封闭后可改变炉内换热过程,从而改变硅料凝固情况;硅料在坩埚底部为石墨热交换块的系统中凝固时产生的热应力相对较小,但固液界面的形状会发生较大的改变,影响晶粒的生长。炉膛内径适当变宽有利于炉内热区温度分布更合理,使得硅料凝固时的固液界面更加理想。通过实验验证了多晶硅在坩埚底部无需进行水冷换热情况下进行真空定向凝固能达到冶金法生产太阳能级多晶硅的要求,这为提高冶金法制备太阳能级多晶硅质量、降低系统能耗具有一定的指导意义。 |
| 关 键 词： | 多晶硅 真空定向凝固 数值模拟 固液界面 少子寿命 |
Effects of heat exchange condition on growth interface and thermal stress of polysilicon in vacuum directional solidification process |
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| L Guo-qiang,YANG Xi,LIU Cheng,MA Wen-hui,CHEN Dao-tong,JIANG Peng-yi. Effects of heat exchange condition on growth interface and thermal stress of polysilicon in vacuum directional solidification process[J]. Transactions of Materials and Heat Treatment, 2015, 36(5) | |
| Authors: | L Guo-qiang YANG Xi LIU Cheng MA Wen-hui CHEN Dao-tong JIANG Peng-yi |
| Affiliation: | L(U) Guo-qiang,YANG Xi,LIU Cheng,MA Wen-hui,CHEN Dao-tong,JIANG Peng-yi |
| Abstract: | |
| Keywords: | polysilicon vacuum directional solidification numerical simulation solid-liquid interface minority carrier lifetime |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |