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808nm大功率半导体激光器的装配
引用本文:高欣,宋晓伟.808nm大功率半导体激光器的装配[J].长春理工大学学报,1997(4).
作者姓名:高欣  宋晓伟
作者单位:长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
摘    要:本文介绍了一种装配808nm大功率半导体激光器的新方法。用P面朝下的方法装配有利于器件的散热,将超声键合改为超声热压球焊键合,增加了金丝与管芯的接触面积,减少了接触电阻,降低了阈值电流,提高了光电转换效率。

关 键 词:半导体激光器  超声热压焊接

Assembly of 808nm High Power Semiconductor Lasrs
Gao Xin, Song Xiaewei.Assembly of 808nm High Power Semiconductor Lasrs[J].Journal of Changchun University of Science and Technology,1997(4).
Authors:Gao Xin  Song Xiaewei
Affiliation:Stase Key Laboratory on High Power Seniconductor Lasers of Changchun Inst. Optics & Fine Mech.
Abstract:
Keywords:Semiconductor lasers  Ultrasonicheat pressing-ball bonding
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