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X波段介质振荡器的设计
引用本文:刘伟,唐宗熙,张彪.X波段介质振荡器的设计[J].半导体技术,2009,34(2).
作者姓名:刘伟  唐宗熙  张彪
作者单位:电子科技大学电子工程学院,成都,610054;电子科技大学电子工程学院,成都,610054;电子科技大学电子工程学院,成都,610054
摘    要:研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率.利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件.选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声.测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz.

关 键 词:介质谐振器  谐振法  振荡器  相位噪声

Design of X-Band Dielectric Resonator Oscillator
Liu Wei,Tang Zongxi,Zhang Biao.Design of X-Band Dielectric Resonator Oscillator[J].Semiconductor Technology,2009,34(2).
Authors:Liu Wei  Tang Zongxi  Zhang Biao
Affiliation:School of Electronic Engineering;University of Electronic Science and Technology of China;Chengdu 610054;China
Abstract:A method was studied for developing X-band dielectric resonator oscillator with wide mechanically tunable frequency range and low phase noise.The dielectric resonator method was used to accurately measure the permittivity,dielectric loss angle tangent and the resonate frequency of three series of dielectric resonator materials.Simulation software was used to construct the coupling model of microstrip and the DR,and S2P profile was extracted.The DRO circuit was constructed using GaAs FET ATF26884 and S2P pro...
Keywords:dielectric resonator  resonate method  oscillator  phase noise  
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