GaAlAs—GaAs异质结栅的场效应晶体管——实现亚微米栅的可靠途径

砷化镓场效应晶体管自从1966年由 C.A.Mead 提出以来,正在深入地研究发展中,迄今,作为微波用的晶体管几乎已达到实用阶段。在这种微波用的 FET 中,如何缩短栅长的制作工艺技术已成为最大的课题。而采用剥离技术的肖持基势垒栅结构已成为目前最普遍的方法。但是,不论采用这样的剥离技术或者特殊的自对准结构,都要求其对位精度高到接近极限值。另外,由于一般情况下肖特基势垒在热处理中呈现脆弱性,所以这就要求热处理温度有一定范围。