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| GaAs苛MESFET栅极漏电流退化机理分析 | |
| 引用本文： | 费庆宇,黄云.GaAs苛MESFET栅极漏电流退化机理分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2000(4):8-11. |
| 作者姓名： | 费庆宇 黄云 |
| 摘 要： | 高温存储试验后某种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理，测定了试验前后栅－漏极低电压正向电流随温度的变化，定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化，确定肖待基势垒触有源层的复合－产生中心浓度的增加是两种漏电流增大的原因，为高温下ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据． |
| 关 键 词： | 漏电流 砷化镓 MESFET 栅极 |
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