| 氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究 |
| |
| 引用本文： | 吕宪义,金曾孙,郝世强,彭鸿雁,曹庆忠.氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究[J].新型炭材料,2003,18(3):191-195. |
| |
| 作者姓名： | 吕宪义 金曾孙 郝世强 彭鸿雁 曹庆忠 |
| |
| 作者单位： | 1. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023
2. 河南黄河实业有限公司,河南,长葛,461500 |
| |
| 基金项目： | 国家863新材料领域资助项目 |
| |
| 摘 要： | 用微波放电法产生氧等离子体，通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明：随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高，刻蚀作用加剧；而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀，说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相。并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长，(111)面的生长是岛状生长。
|
| 关 键 词： | 氧等离子体 金刚石膜 刻蚀 结构特性 微波放电法 |
| 文章编号： | 1007-8827(2003)03-0191-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月8日 |
Etching of a diamond film by oxygen plasma |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Oxygen plasma Diamond film Etching Structure characteristic |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
