| 电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅的影响 |
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| 引用本文： | 张光辉,孔令峰,潘倩,黎学明. 电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅的影响[J]. 功能材料, 2009, 40(6) |
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| 作者姓名： | 张光辉 孔令峰 潘倩 黎学明 |
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| 作者单位： | 重庆大学,化学化工学院,重庆,400030;重庆大学,化学化工学院,重庆,400030;重庆大学,化学化工学院,重庆,400030;重庆大学,化学化工学院,重庆,400030 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10476035) |
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| 摘 要： | 采用电化学阳极氧化法,将预光刻图案的p型硅片制备成阵列多孔硅.讨论电化学阳极氧化条件对阵列多孔硅形貌的影响.结果表明:随着HF浓度、电流密度、阳极氧化时间的增大,阵列多孔硅的孔深逐渐加大;当HF:C2H5OH:H2O(体积比)为1:1:1～1:2:5,电流密度为1.56mA/cm2,阳极氧化时间为3h时,制备出的阵列多孔硅具有比较规整的阵列孔,并且孔深能够达到50pm;表面活性剂对阵列孔的形成有很大影响,加入表面活性剂后形成的孔才具有一定的规整性以及深宽比.
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| 关 键 词： | 阵列多孔硅 电化学 阳极氧化 表面活性剂 |
Influence of electrochemical anodization conditions on arrayed porous silicon |
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| ZHANG Guang-hui , KONG Ling-feng , PAN Qian , LI Xue-ming. Influence of electrochemical anodization conditions on arrayed porous silicon[J]. Journal of Functional Materials, 2009, 40(6) |
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| Authors: | ZHANG Guang-hui KONG Ling-feng PAN Qian LI Xue-ming |
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| Affiliation: | ZHANG Guang-hui,KONG Ling-feng,PAN Qian,LI Xue-ming (College of Chemical and Chemistry Engineering,Chongqing University,Chongqing 400030,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | arrayed porous silicon electrochemistry anodization surfacant |
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