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| Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1)化合物的低温固相反应合成与热电性能研究 | |
| 作者姓名： | 柳伟 鄢永高 唐新峰 |
| 作者单位： | 武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点基金资助项目(50731006) |
| 摘 要： | 采用低温固相反应法结合放电等离子体烧结法(SPS)合成了Mg2Si1-xSnx(0≤x≤1)三元化合物,研究了Sn固溶量对化合物热电性能的影响.结果表明,随Sn含量增加,材料电导率增加,Seebeck系数减小;材料晶格热导率先减小后增加,x=0.4时化合物晶格热导率最低,同时固溶体化合物的晶格热导率远低于Mg2Si和Mg2Sn二元化合物的晶格热导率,在室温附近Mg2Si1-xSnx固溶体化合物的晶格热导率均约为Mg2Si的1/3和Mg2Sn的1/2;Mg2Si0.8Sn0.2化合物具有最好的热电性能,在640K获得最大热电优值0.16. |
| 关 键 词： | Mg2Si1-xSnx 低温固相反应 固溶 热电性能 |
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