| Zn+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响 |
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| 引用本文： | 李鸿渐,石瑛,赵世荣,何庆尧,蒋昌忠. Zn+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响[J]. 功能材料, 2009, 40(6) |
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| 作者姓名： | 李鸿渐 石瑛 赵世荣 何庆尧 蒋昌忠 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10675094,10205010,10435060) |
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| 摘 要： | 首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性.Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的栽流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入.经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤.研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2.用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制.
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| 关 键 词： | p-GaN 欧姆接触 离子注入 退火 |
Influence of p-GaN/Ni/Au ohmic contact characteristics by Zn~+ implantation |
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| LI Hong-jian , SHI Ying , ZHAO Shi-rong , HE Qing-yao , JIANG Chang-zhong. Influence of p-GaN/Ni/Au ohmic contact characteristics by Zn~+ implantation[J]. Journal of Functional Materials, 2009, 40(6) |
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| Authors: | LI Hong-jian SHI Ying ZHAO Shi-rong HE Qing-yao JIANG Chang-zhong |
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| Affiliation: | LI Hong-jian,SHI Ying,ZHAO Shi-rong,HE Qing-yao,JIANG Chang-zhong (School of Physics and Technology,Wuhan University,Wuhan 430072,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-GaN ohmic contact ion implantation annealing |
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