| 电子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响 |
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| 引用本文： | 蔡莉莉,李晶.电子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响[J].材料导报,2008,22(Z3). |
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| 作者姓名： | 蔡莉莉 李晶 |
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| 作者单位： | 华北科技学院基础部物理教研室,北京,101601 |
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| 摘 要： | 主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.
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| 关 键 词： | 电子辐照 氧沉淀 快速热处理(RTP) 清洁区(DZ) |
Effect of Electron Irradiation on Oxygen Precipitates in Czochralski Silicon |
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| CAI Lili,LI Jing.Effect of Electron Irradiation on Oxygen Precipitates in Czochralski Silicon[J].Materials Review,2008,22(Z3). |
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| Authors: | CAI Lili LI Jing |
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