| 非晶IGZO透明导电薄膜的L-MBE制备 |
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| 引用本文： | 王东,张景文,种景,王建功,侯洵. 非晶IGZO透明导电薄膜的L-MBE制备[J]. 微电子学与计算机, 2009, 26(6) |
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| 作者姓名： | 王东 张景文 种景 王建功 侯洵 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,陕西省信息光子技术重点实验室,陕西,西安,710049 |
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| 摘 要： | 报道了一种利用等离子辅助激光分子束外延技术(L-MBE)在石英衬底上制备IGZO透明导电薄膜的新工艺.该工艺在超高真空中进行,可以有效避免杂质和污染,提高薄膜的纯度和光学、电学性能.通过优化生长时的气体离化功率,在300W射频功率下,得到光学电学性能优良的非晶态IGZO透明导电薄膜,其可见光范围内透过率超过80%,其室温电子迁移率高达16.14cm2v-1s-1,明显优于目前薄膜晶体管(TFT)中常用的非晶硅和有机物材料.测试结果表明,采用此工艺制备的非晶态IGZO透明导电薄膜,具有优良的光学、电学特性,能代替非晶硅和有机物,提高TFT-LCD的性能,实现真正的全透明、高亮度及柔性显示.
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| 关 键 词： | 非晶IGZO 透明导电薄膜 |
Fabrication of IGZO Transparent Conductive Thin Films by L-MBE |
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| WANG Dong,ZHANG Jing-wen,CHONG Jing,WANG Jian-gong,HOU Xun. Fabrication of IGZO Transparent Conductive Thin Films by L-MBE[J]. Microelectronics & Computer, 2009, 26(6) |
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| Authors: | WANG Dong ZHANG Jing-wen CHONG Jing WANG Jian-gong HOU Xun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | L-MBE |
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