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混沌腔体中电场边缘概率分布模型
引用本文:庄信武,余志勇,刘光斌,谭武端. 混沌腔体中电场边缘概率分布模型[J]. 高电压技术, 2014, 40(9)
作者姓名:庄信武  余志勇  刘光斌  谭武端
作者单位:第二炮兵工程大学控制工程系,西安,710025
基金项目:国家自然科学基金(61201120).Project supported by National Natural Science Foundation of China
摘    要:为研究有限容量样本下电场分布情况,基于边缘分布理论方法,得到混沌腔体内电场边缘分布模型。该模型在混沌条件下一致性收敛速度快,当样本容量N10时,最大相对误差收敛于0.004 5。与此同时,利用混响室实测数据及理想波混沌场,对边缘分布模型的有效性进行试验验证,结果表明:该边缘分布模型与样本分布基本重合;无论对单自由度还是3自由度的波混沌场都可以很好地拟合场的分布,优于传统的Weilbull、Rayleigh分布。该模型对有限样本下混沌电场的统计分布规律的描述,具有重要的理论价值和指导意义。

关 键 词:混沌腔体  电场  概率分布  边缘分布  有限容量样本  分布模型

Marginal Probability Distribution Models of Electric Field in Chaotic Cavity
ZHUANG Xinwu,YU Zhiyong,LIU Guangbin,TAN Wuduan. Marginal Probability Distribution Models of Electric Field in Chaotic Cavity[J]. High Voltage Engineering, 2014, 40(9)
Authors:ZHUANG Xinwu  YU Zhiyong  LIU Guangbin  TAN Wuduan
Abstract:
Keywords:chaotic cavity  electric field  probability distribution  marginal distribution  finite samples  distribution model
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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