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高阶模拟Σ-Δ调制器设计研究
引用本文:许长喜.高阶模拟Σ-Δ调制器设计研究[J].微电子学,2006(2).
作者姓名:许长喜
作者单位:南开大学微电子科学系 天津300071
基金项目:天津市重点攻关资助项目(033187111)
摘    要:在简要介绍高阶1位量化Σ-ΔA/D转换器基本原理的基础上,分析了Σ-Δ调制器的噪声特性;介绍了传统线性模型下的噪声传递函数的设计方法。同时,结合实际高阶模拟Σ-Δ调制器的开关电容实现电路,重点对影响调制器性能的非理想因素进行了详细分析,并采用程序建模仿真的方法指导电路设计。与传统设计方法的结果对比表明,文中的方法可以为电路设计提供更加可靠的依据。

关 键 词:Σ-Δ调制器  开关电容  非理想因素  建模
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