制备条件对反应溅射制备的a—SIC:H膜结构和特性的影响 |
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引用本文: | 王印月,王辉耀.制备条件对反应溅射制备的a—SIC:H膜结构和特性的影响[J].上海硅酸盐,1995(3):157-162. |
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作者姓名: | 王印月 王辉耀 |
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摘 要: | 通过红外透射谱,可见-紫外透射反射谱和电导率的测量,研究制备条件(射频功率P和CH4流量比rc)对反应溅射法制备的a-Sic:H膜的结构和特性的影响。结果发现,当P=320W,rc=3.41%时,膜的质量较好:带尾较窄,膜中C成四配位,SiC键数目较多,Eopt〉2eV。对实验结果作了初步讨论。
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关 键 词: | 非晶硅碳膜 反应油射法 制备 射频功率 |
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