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| 射频溅射Bi12SiO20薄膜生长 | |
| 引用本文： | 徐良瑛,朱登峻.射频溅射Bi12SiO20薄膜生长[J].上海硅酸盐,1995(4):223-229. |
| 作者姓名： | 徐良瑛 朱登峻 |
| 摘 要： | 与其它方法比较，射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０薄膜。以化学计量Ｂｉ１２ＳｉＯ２０作为靶材，先在玻璃和硅衬底上生长，它们的结晶结构依赖于衬底温度：低于１００℃为非晶态的ＢＳＯ；１００－３５０℃为ｆｃｃ多晶相；高于４００℃为ｂｃｃ多晶相。 |
| 关 键 词： | 射频溅射 硅酸铋 薄膜生长 BSO晶体 |
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