射频溅射Bi12SiO20薄膜生长 |
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引用本文: | 徐良瑛,朱登峻.射频溅射Bi12SiO20薄膜生长[J].上海硅酸盐,1995(4):223-229. |
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作者姓名: | 徐良瑛 朱登峻 |
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摘 要: | 与其它方法比较,射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Bi12SiO20薄膜。以化学计量Bi12SiO20作为靶材,先在玻璃和硅衬底上生长,它们的结晶结构依赖于衬底温度:低于100℃为非晶态的BSO;100-350℃为fcc多晶相;高于400℃为bcc多晶相。
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关 键 词: | 射频溅射 硅酸铋 薄膜生长 BSO晶体 |
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