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纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术
引用本文:朱华平,戴庆元,徐健. 纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术[J]. 真空电子技术, 2005, 0(1): 52-55,58
作者姓名:朱华平  戴庆元  徐健
作者单位:上海交通大学,微纳米技术研究院,上海,200030
摘    要:随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.

关 键 词:纳米级CMOS电路  漏电流组成  功耗  降低技术
文章编号:1002-8935(2005)01-0052-04

Leakage Current and Leakage Reduction Techniques in Nanometer Scale CMOS Circuits
ZHU Hua-ping,DAI Qing-yuan,XU Jian. Leakage Current and Leakage Reduction Techniques in Nanometer Scale CMOS Circuits[J]. Vacuum Electronics, 2005, 0(1): 52-55,58
Authors:ZHU Hua-ping  DAI Qing-yuan  XU Jian
Abstract:
Keywords:Nanometer scale CMOS circuits  Leakage component  Power dissipation  Reduction techniques
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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