| 纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术 |
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| 引用本文： | 朱华平,戴庆元,徐健. 纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术[J]. 真空电子技术, 2005, 0(1): 52-55,58 |
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| 作者姓名： | 朱华平 戴庆元 徐健 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微纳米技术研究院,上海,200030 |
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| 摘 要： | 随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.
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| 关 键 词： | 纳米级CMOS电路 漏电流组成 功耗 降低技术 |
| 文章编号： | 1002-8935(2005)01-0052-04 |
Leakage Current and Leakage Reduction Techniques in Nanometer Scale CMOS Circuits |
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| ZHU Hua-ping,DAI Qing-yuan,XU Jian. Leakage Current and Leakage Reduction Techniques in Nanometer Scale CMOS Circuits[J]. Vacuum Electronics, 2005, 0(1): 52-55,58 |
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| Authors: | ZHU Hua-ping DAI Qing-yuan XU Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Nanometer scale CMOS circuits Leakage component Power dissipation Reduction techniques |
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