| 掺杂对准同型相界附近PMN-PT陶瓷介电和铁电性能的影响 |
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| 引用本文： | 谈鸿恩,庄志强. 掺杂对准同型相界附近PMN-PT陶瓷介电和铁电性能的影响[J]. 陶瓷学报, 2008, 29(4) |
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| 作者姓名： | 谈鸿恩 庄志强 |
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| 作者单位： | 华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640 |
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| 摘 要： | 采用氧化物固相反应法制备了A、B位离子掺杂0．67Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0．33PbTiO3陶瓷，研究了掺杂对陶瓷的相结构、介电和铁电性能等的影响。Sm和La两种A位掺杂离子的引入，均较大幅度的降低了样品的介电常数峰温和声誉极化值，同时材料的最大介电常数也有了不同程度的降低。而随着B位离子Mn掺杂量的增加，使陶瓷样品中钙钛矿相逐渐增加，焦绿石相逐渐降低；而且部分掺杂的Mn离子会进入到晶格的B位，形成第二相；同时随着Mn离子掺杂量的增加，介电峰值逐渐增大，压电性能有所提高，弥散度依次增大。当锰掺杂量为1．5％mol时的压电陶瓷组分，其介电和压电性能各为：ε=2300，kp=0．54，Qm=900，tanδ=0．004，d33=400pC／N，适合于制作大功率压电陶瓷变压器。
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| 关 键 词： | 压电陶瓷 PMN—PT 相结构 介电 铁电 掺杂 |
DIELECTRIC AND FERROELECTRIC PROPERTIES OF ION-DOPED PMN-PT CERAMICS NEAR MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARY |
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| Tan Hongen,Zhuang Zhiqiang. DIELECTRIC AND FERROELECTRIC PROPERTIES OF ION-DOPED PMN-PT CERAMICS NEAR MORPHOTROPIC PHASE BOUNDARY[J]. Journal of Ceramics, 2008, 29(4) |
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| Authors: | Tan Hongen Zhuang Zhiqiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PMN-PT |
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