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| 基于准一维CdS纳米结构的合成及应用 | |
| 作者姓名： | 蔡家骏 江鹏 |
| 作者单位： | (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥 230009) |
| 摘 要： | 针对准一维硫化镉（CdS）纳米结构的合成及其器件作了相应介绍。硫化镉（CdS）作为一种II-VI族半导体材料,室温禁带宽度为2.42 eV,合成方法多种多样,可根据具体的需求和条件,通过对各种具体参数的调节,合成出需要的CdS纳米结构及高质量的准一维CdS纳米结构制备出高性能器件。虽然准一维CdS纳米结构的合成和器件制... |
| 关 键 词： | 硫化镉 纳米结构 器件合成 |
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