Si／SiGe／Si双异质结晶体管（HBT）物负阻特性

同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中，在高集电极－发射极电压、大电流下，由于热电正反馈，容易发生热击穿，这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下，由于热电负反馈，重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性，并对这一现象进行了新的解释，认为这是由于大电流下耗散功率增加，基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果。这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力，证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用。