| APCVD制备非晶硅的关键工艺参数分析 |
| |
| 引用本文： | 王敬义,何笑明,王宇,陈巍,尹盛,赵宁,孙雪莉.APCVD制备非晶硅的关键工艺参数分析[J].半导体学报,1993,14(4):242-246. |
| |
| 作者姓名： | 王敬义 何笑明 王宇 陈巍 尹盛 赵宁 孙雪莉 |
| |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子系，华中理工大学固体电子系，华中理工大学固体电子系，华中理工大学固体电子系，华中理工大学固体电子系，华中理工大学固体电子系，湖北工业大学 武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074 |
| |
| 摘 要： | 本文提供以甲硅烷为源,用常压热CVD制备优质氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的研究结果。对于源流量、衬底温度和垂直于衬底方向上的温度梯度等因素对薄膜的生长速率及质量的影响进行了分析并得出一些重要的结论。由于热扩散传质的合理控制,在衬底温度为430℃的情况下,获得了生长速率为18nm/min的优质薄膜,这个结果是在同类工艺中所未见到过报道的。
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
